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加入衬底的选择对于石墨烯的生长来说尤其重要。图5.金属-C相图与石墨烯在金属表面生长机制示意图反之，物俱当使用低溶碳量的金属（代表金属为Cu）时，物俱高温裂解产生的碳原子仅能吸附在金属表面，进而在表面迁移，成核并生长得到石墨烯薄膜。

图3.石墨烯在金属表面的生长示意图在制备高质量石墨烯的过程中，乐部往往需要引入氢气来促进碳源裂解，提高石墨烯的均匀性和质量。目前为止无胶转移的方法主要是基于静电力或有效控制转移过程中的扰动和表面张力，欢迎进而提高转移后的石墨烯的完整度。由于碳析出量很大程度上取决于溶解的碳浓度和降温速率，加入金属晶界处往往生成的石墨烯较厚，加入因此生长的石墨烯以多层为主，层数不均匀且可控性较差。

物俱2009年6月到北京大学工作至今。根据AB堆垛双层石墨烯独特的电子结构特点可知，乐部当在其垂直方向上加上偏压后，石墨烯的带隙可以被打开，且其带隙大小可以进行有效地调节。

欢迎这种方法主要依赖于制备超高质量的单晶生长基底。

1993年6月回北京大学任教，加入同年晋升教授。获日中科技交流协会有山兼孝纪念研究奖(1992)、物俱香港求是科技基金会杰出青年学者奖(1997)、物俱中国分析测试协会科学技术奖一等奖(2005)、教育部高等学校科学技术奖自然科学一等奖(2007)、国家自然科学二等奖(2008, 2017)、中国化学会-阿克苏诺贝尔化学奖(2012)、宝钢优秀教师特等奖(2012)、日本化学会胶体与界面化学年会Lectureship Award(2016)、北京大学方正教师特别奖(2016)、北京市优秀教师(2017)、ACS Nano LectureshipAward(2018)等。

该膜具有出色的耐久性，乐部超柔韧性，防腐性能和耐低温性能。欢迎2014年以成果低维光功能材料的控制合成与物化性能获国家自然科学奖二等奖(第一获奖人)。

长期从事新型光功能材料的基础和应用探索研究，加入在低维材料、纳米光电子学等方面做出了开创性贡献。曾获北京市科学技术奖一等奖，物俱中国化学会青年化学奖，中国青年科技奖等奖励。